ME3205F-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME3205F-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 263 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 366 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Encapsulados: TO220F
Búsqueda de reemplazo de ME3205F-G MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
ME3205F-G datasheet
me3205f me3205f-g.pdf
ME3205F/ME3205F-G N-Channel 60V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6m @VGS=10V The ME3205F is the N-Channel logic enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON) effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density pro
me3205h-g.pdf
ME3205H-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6.5m @VGS=10V The ME3205H-G is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process is especia
me3205t me3205t-g.pdf
ME3205T/ME3205T-G N-Channel 60V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6.5m @VGS=10V The ME3205T is the N-Channel logic enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON) effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proce
Otros transistores... ME25N15AL, ME25N15AL-G, ME2606, ME2606-G, ME2614, ME2614-G, ME2620-G, ME3205F, IRFZ48N, ME3205H-G, ME3424D, ME3424D-G, ME3443, ME3443-G, ME3449D, ME3449D-G, ME3483
History: 2P829G | STP60N05-14
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613
