ME4425 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME4425
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 67 nC
Tiempo de subida (tr): 18.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 383 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
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ME4425 Datasheet (PDF)
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ME4425/ME4425-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4425 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)14m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)19m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS
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