ME4468 Todos los transistores

 

ME4468 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME4468
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de ME4468 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME4468 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2236K  matsuki electric
 me4468 me4468-g.pdf pdf_icon

ME4468

ME4468/ ME4468-G N-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)10m@VGS=10VThe ME4468 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)13m@VGS=4.5Veffect transistors, using high cell density, DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(ON)This high density process is especially tailored to minimize o

Otros transistores... ME3483-G , ME3920D , ME3920D-G , ME3920-G , ME4425 , ME4425-G , ME4457 , ME4457-G , IRFZ44N , ME4468-G , ME4470 , ME4470-G , ME4473-G , ME4485 , ME4485-G , ME4832 , ME4832-G .

History: NCE65N330R | PMN230ENEA | SI4483EDY

 

 
Back to Top

 


 
.