ME4468 Todos los transistores

 

ME4468 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME4468
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

ME4468 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2236K  matsuki electric
 me4468 me4468-g.pdf pdf_icon

ME4468

ME4468/ ME4468-G N-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)10m@VGS=10VThe ME4468 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)13m@VGS=4.5Veffect transistors, using high cell density, DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(ON)This high density process is especially tailored to minimize o

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFS9642 | MTN50N06E3 | CPC3730 | STD1HNC60T4 | SSFT4004 | SM3116NAF | IPI051N15N5

 

 
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