ME4894 Todos los transistores

 

ME4894 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME4894
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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ME4894 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1614K  matsuki electric
 me4894 me4894-g.pdf pdf_icon

ME4894

ME4894/ME4894-G N-Channel 30-V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4894-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)11m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)17.5m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RD

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History: ISZ065N03L5S | PJM2300NSA-L | NCE16P07J | ZVP4525E6 | MTDK5S6R | TPC8026 | PJM3407PSA

 

 
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