ME4894 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME4894
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
ME4894 Datasheet (PDF)
me4894 me4894-g.pdf

ME4894/ME4894-G N-Channel 30-V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4894-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)11m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)17.5m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RD
Otros transistores... ME4470-G , ME4473-G , ME4485 , ME4485-G , ME4832 , ME4832-G , ME4856 , ME4856-G , IRF1404 , ME4894-G , ME4906-G , ME4920 , ME4920-G , ME4947 , ME4947-G , ME4970A , ME4970A-G .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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