ME4920 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME4920
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME4920

ME4920 Datasheet (PDF)

..1. Size:892K matsuki electric
me4920 me4920-g.pdf

ME4920/ME4920-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)35 m@VGS=10V The ME4920 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)45 m@VGS=4.5V effect transistors, using high cell density, DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) This high density process is especially tailored to

9.1. Size:1135K matsuki electric
me4925 me4925-g.pdf

ME4925/ME4925-G Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4925 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)22m@VGS=-10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)30m@VGS=-4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

9.2. Size:829K cn vbsemi
me4925.pdf

ME4925www.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD1 8

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Liste

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