ME4947 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME4947

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm

Encapsulados: SOP8

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ME4947 datasheet

 ..1. Size:1226K  matsuki electric
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ME4947

ME4947/ME4947-G P-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4947 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 72m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 94m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

 9.1. Size:1542K  matsuki electric
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ME4947

ME4946/ME4946-G Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 41m @VGS=10V The ME4946 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 52m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especi

 9.2. Size:955K  cn vbsemi
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ME4947

ME4946 www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N-Channel M

Otros transistores... ME4832-G, ME4856, ME4856-G, ME4894, ME4894-G, ME4906-G, ME4920, ME4920-G, AO3400, ME4947-G, ME4970A, ME4970A-G, ME4972-G, ME50N02, ME50N02-G, ME50N10, ME50N10-G