ME4947 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME4947
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 23 nC
   Tiempo de subida (tr): 18 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 76 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME4947

ME4947 Datasheet (PDF)

..1. Size:1226K matsuki electric
me4947 me4947-g.pdf

ME4947/ME4947-G P-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4947 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)72m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)94m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

9.1. Size:1542K matsuki electric
me4946 me4946-g.pdf

ME4946/ME4946-G Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)41m@VGS=10V The ME4946 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)52m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especi

9.2. Size:955K cn vbsemi
me4946.pdf

ME4946www.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Channel M

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: