ME4947. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ME4947
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для ME4947
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ME4947 даташит
me4947 me4947-g.pdf
ME4947/ME4947-G P-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4947 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 72m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 94m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(
me4946 me4946-g.pdf
ME4946/ME4946-G Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 41m @VGS=10V The ME4946 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 52m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especi
me4946.pdf
ME4946 www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N-Channel M
Другие IGBT... ME4832-G, ME4856, ME4856-G, ME4894, ME4894-G, ME4906-G, ME4920, ME4920-G, AO3400, ME4947-G, ME4970A, ME4970A-G, ME4972-G, ME50N02, ME50N02-G, ME50N10, ME50N10-G
History: NTMFS4C029N | IRFU540ZPBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525



