STM8358S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STM8358S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 18.5 nC
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de STM8358S MOSFET
STM8358S Datasheet (PDF)
stm8358s.pdf

S T M8358SS amHop Microelectronics C orp. Oct.28, 2005Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel)(N-C hannel) (PP R ODUC T S UMMAR Y P R ODUC T S UMMAR Y -C hannel)V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max 48 @ V G S = -10V25 @ VG S = 10V-30V -5.2A30V 7.2A 72 @ V G S = -4.5V36 @ V G S = 4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811
stm8324.pdf

GreenProductSTM8324aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID VDSS ID31 @ VGS=10V 35 @ VGS=-10V30V 6.5A -30V -6A42 @ VGS=4.5V 53 @ VGS=-4.5V5 4D2 G 26 3D2 S 2D1 7 2G 1S O-8D1 8 1S 11(TA=25C
stm8309.pdf

GreenProductSTM8309SamHop Microelectronics Corp.Oct.13, 2006Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel)PRODUCT SUMMARY (N-Channel) (P-Channel)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(ON) ( m ) Max VDSS ID RDS(ON) ( m ) Max23 @ VGS = 10V 35 @ VGS = -10V-30V -6A30V7A30 @ VGS = 4.5V 52 @ VGS = -4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5SO-811 2 3 4S1 G1 S2 G2ABSO
stm8360t.pdf

GreenProductSTM8360TaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID VDSS ID29 @ VGS=10V 42 @ VGS=-10V40V 6.6A-40V -5.5A45 @ VGS=4.5V 65 @ VGS=-4.5VD2 5 4 G 2D2 6 3 S 2D1 7 2G 1S O-8D1 8 1S 11(TC=25C
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: APT30M40LVR | SML80J25 | BLF6G20-230PRN
History: APT30M40LVR | SML80J25 | BLF6G20-230PRN



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPL1050PU | JMPL1050PK | JMPL1050PG | JMPL1050AY | JMPL1050AUQ | JMPL1050AU | JMPL1050APD | JMPL1050AP | JMPL1050AKQ | JMPL1050AK | JMPL1050AGQ | JMPL1050AG | JMPL1050AE | JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ
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