ME70N03S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME70N03S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME70N03S
ME70N03S Datasheet (PDF)
me70n03s me70n03s-g.pdf
ME70N03S/ME70N03S-G30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.6m@VGS=10V The ME70N03S is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)11m@VGS=4.5V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is
me70n10t me70n10t-g.pdf
ME70N10T / ME70N10T-G N- Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)17m@VGS=10V The ME70N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high de
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918