Справочник MOSFET. ME70N03S

 

ME70N03S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME70N03S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для ME70N03S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME70N03S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1428K  matsuki electric
 me70n03s me70n03s-g.pdf pdf_icon

ME70N03S

ME70N03S/ME70N03S-G30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.6m@VGS=10V The ME70N03S is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)11m@VGS=4.5V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is

 9.1. Size:1081K  matsuki electric
 me70n10t me70n10t-g.pdf pdf_icon

ME70N03S

ME70N10T / ME70N10T-G N- Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)17m@VGS=10V The ME70N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high de

Другие MOSFET... ME60N03S-G , ME60N04 , ME60N04-G , ME6600D-G , ME6606D-G , ME6612D-G , ME6874 , ME6874-G , SPP20N60C3 , ME70N03S-G , ME70N10T , ME70N10T-G , ME7232 , ME7232-G , ME7232S , ME7232S-G , ME7306-G .

History: IRFP150M | ZXM64N035L3 | H7N1005LD | BSC035N04LSG | NP84N075DUE | FDS6680S | STN4260

 

 
Back to Top

 


 
.