ME70N03S-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME70N03S-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm

Encapsulados: TO252

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ME70N03S-G datasheet

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ME70N03S-G

ME70N03S/ME70N03S-G 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6.6m @VGS=10V The ME70N03S is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 11m @VGS=4.5V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is

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ME70N03S-G

ME70N10T / ME70N10T-G N- Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 17m @VGS=10V The ME70N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high de

Otros transistores... ME60N04, ME60N04-G, ME6600D-G, ME6606D-G, ME6612D-G, ME6874, ME6874-G, ME70N03S, IRFP260, ME70N10T, ME70N10T-G, ME7232, ME7232-G, ME7232S, ME7232S-G, ME7306-G, ME7345-G