Справочник MOSFET. ME70N03S-G

 

ME70N03S-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME70N03S-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 62 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 38 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 255 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для ME70N03S-G

 

 

ME70N03S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1428K  matsuki electric
 me70n03s me70n03s-g.pdf

ME70N03S-G ME70N03S-G

ME70N03S/ME70N03S-G30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.6m@VGS=10V The ME70N03S is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)11m@VGS=4.5V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is

 9.1. Size:1081K  matsuki electric
 me70n10t me70n10t-g.pdf

ME70N03S-G ME70N03S-G

ME70N10T / ME70N10T-G N- Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)17m@VGS=10V The ME70N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high de

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top