Справочник MOSFET. ME70N03S-G

 

ME70N03S-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME70N03S-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для ME70N03S-G

 

 

ME70N03S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1428K  matsuki electric
 me70n03s me70n03s-g.pdf

ME70N03S-G ME70N03S-G

ME70N03S/ME70N03S-G30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.6m@VGS=10V The ME70N03S is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)11m@VGS=4.5V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is

 9.1. Size:1081K  matsuki electric
 me70n10t me70n10t-g.pdf

ME70N03S-G ME70N03S-G

ME70N10T / ME70N10T-G N- Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)17m@VGS=10V The ME70N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high de

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top