ME70N10T Todos los transistores

 

ME70N10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME70N10T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 130 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 438 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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ME70N10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1081K  matsuki electric
 me70n10t me70n10t-g.pdf pdf_icon

ME70N10T

ME70N10T / ME70N10T-G N- Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)17m@VGS=10V The ME70N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high de

 9.1. Size:1428K  matsuki electric
 me70n03s me70n03s-g.pdf pdf_icon

ME70N10T

ME70N03S/ME70N03S-G30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.6m@VGS=10V The ME70N03S is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)11m@VGS=4.5V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is

Otros transistores... ME60N04-G , ME6600D-G , ME6606D-G , ME6612D-G , ME6874 , ME6874-G , ME70N03S , ME70N03S-G , 2SK3568 , ME70N10T-G , ME7232 , ME7232-G , ME7232S , ME7232S-G , ME7306-G , ME7345-G , ME7356-G .

History: RJK0456DPB | HM5N50I | HYG060N08NS1U | AP3407

 

 
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