ME7232-G Todos los transistores

 

ME7232-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7232-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2
 

 Búsqueda de reemplazo de ME7232-G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME7232-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:925K  matsuki electric
 me7232 me7232-g.pdf pdf_icon

ME7232-G

ME7232/ME7232-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)4.5 m@VGS=10VThe ME7232-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)6.8 m@VGS=4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This high density process is especially tailored to

 8.1. Size:753K  1
 me7232s-g.pdf pdf_icon

ME7232-G

ME7232S/ME7232S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5 m@VGS=10VThe ME7232S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7 m@VGS=4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This high density process is especially tailored to

 8.2. Size:891K  matsuki electric
 me7232s me7232s-g.pdf pdf_icon

ME7232-G

ME7232S/ME7232S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5 m@VGS=10VThe ME7232S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7 m@VGS=4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This high density process is especially tailored to

Otros transistores... ME6612D-G , ME6874 , ME6874-G , ME70N03S , ME70N03S-G , ME70N10T , ME70N10T-G , ME7232 , IRFB3607 , ME7232S , ME7232S-G , ME7306-G , ME7345-G , ME7356-G , ME7362 , ME7362-G , ME7423S-G .

History: SWP078R08ET | SI5475DC

 

 
Back to Top

 


 
.