ME7232-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME7232-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.56 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 14.7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 16.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 50.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 187 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2

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ME7232-G Datasheet (PDF)

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ME7232/ME7232-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)4.5 m@VGS=10VThe ME7232-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)6.8 m@VGS=4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This high density process is especially tailored to

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ME7232S/ME7232S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5 m@VGS=10VThe ME7232S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7 m@VGS=4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This high density process is especially tailored to

8.2. Size:891K matsuki electric
me7232s me7232s-g.pdf

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Liste

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