ME7620 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME7620

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 127 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 741 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: POWERDFN5X6

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ME7620 datasheet

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ME7620

ME7620/ME7620-G N-Channel 20V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7620-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 2.2 m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 2.4 m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 3.0 m @VGS=2.5V minimize on-state res

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