ME7707 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME7707

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 44.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 221 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: POWERDFN5X6

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ME7707 datasheet

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ME7707

ME7707/ME7707-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7707 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 15m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 29.5m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

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ME7707

ME7705/ME7705-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7705 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 7m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 12m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo

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