ME7810S-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME7810S-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 52 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 84 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 53 nC
Tiempo de subida (tr): 16 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 358 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME7810S-G
ME7810S-G Datasheet (PDF)
me7810s-g.pdf
ME7810S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7810S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)6m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)minim
me78101s-g.pdf
ME78101S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME78101S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)6m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(
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