Справочник MOSFET. ME7810S-G

 

ME7810S-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7810S-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 358 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7810S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1212K  matsuki electric
 me7810s-g.pdf pdf_icon

ME7810S-G

ME7810S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7810S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)6m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)minim

 8.1. Size:1207K  matsuki electric
 me78101s-g.pdf pdf_icon

ME7810S-G

ME78101S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME78101S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)6m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HGS098N06SL | STD17N06T4 | RQ3E150MN | 2N4338 | SI1402DH | IRLHM620PBF | HCF70R910

 

 
Back to Top

 


 
.