MEE7816AS-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MEE7816AS-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3DUAL

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MEE7816AS-G

MEE7816AS-G Datasheet (PDF)

..1. Size:2368K matsuki electric
mee7816as-g.pdf

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7.1. Size:2313K 1
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Liste

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