MEE7816AS-G Todos los transistores

 

MEE7816AS-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MEE7816AS-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: DFN3X3DUAL

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MEE7816AS-G datasheet

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MEE7816AS-G

MEE7816AS-G Dual N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 100m @VGS=10V The MEE7816AS-G is a N-Channel enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON) effect transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Exceptional on-resistance and maximum DC current Gate(ETG) technology. This advanced technology

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MEE7816AS-G

Preliminary - MEE7816S-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 100m @VGS=10V The MEE7816S is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, EMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density pro

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MEE7816AS-G

Preliminary - MEE7816S-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 100m @VGS=10V The MEE7816S is a N-Channel enhancement mode power field effect Super high density cell design for extremely low RDS(ON) transistors, using Force-MOS patented Extended Trench Gate(ETG) Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This advanced t

Otros transistores... MEE4298T , MEE6240T , MEE7292-G , MEE72962-G , MEE7296-G , MEE7298-G , MEE7630-G , MEE7636-G , AON6380 , MEE7816S-G , 2SK815 , MDD2601 , NCE1579C , SMP730 , HCA60R040 , MS5N100 , MS5N100S .

History: HYG042N10NS1P | RUF020N02 | SWD80N04V | AOWF10N60 | 4N60L-TN3-R | SWD4N50K | HM4354

 

 

 

 

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