MS5N100S Todos los transistores

 

MS5N100S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MS5N100S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm

Encapsulados: TO220F

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MS5N100S datasheet

 ..1. Size:3619K  1
 ms5n100 ms5n100s ms5n100ft ms5n100fe ms5n100fd.pdf pdf_icon

MS5N100S

MS5N100/S/FT/FE/FD N-channel 1000V 3.5 - 5A General features Type V R I DSS(@Tjmax) DS(on) D MS5N100 1000 V

Otros transistores... MEE7816AS-G , MEE7816S-G , 2SK815 , MDD2601 , NCE1579C , SMP730 , HCA60R040 , MS5N100 , AO4407 , MS5N100FT , MS5N100FE , MS5N100FD , SJMN600R70F , HCA60R290 , HCA65R165 , HCA70R180 , HCA90R300 .

History: JCS3205CH | 4N65L-TF1-T | HCFL65R210 | MEE7630-G | AOV11S60 | JCS10N65CT | IPI111N15N3

 

 

 

 

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