MS5N100FD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS5N100FD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
Encapsulados: TO252
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MS5N100FD datasheet
ms5n100 ms5n100s ms5n100ft ms5n100fe ms5n100fd.pdf
MS5N100/S/FT/FE/FD N-channel 1000V 3.5 - 5A General features Type V R I DSS(@Tjmax) DS(on) D MS5N100 1000 V
Otros transistores... MDD2601 , NCE1579C , SMP730 , HCA60R040 , MS5N100 , MS5N100S , MS5N100FT , MS5N100FE , IRFP250 , SJMN600R70F , HCA60R290 , HCA65R165 , HCA70R180 , HCA90R300 , HCA90R450 , HCA90R800 , HCD60R260 .
History: SWD088R08E8T | JCS10N60CC
History: SWD088R08E8T | JCS10N60CC
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