Справочник MOSFET. MS5N100FD

 

MS5N100FD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS5N100FD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MS5N100FD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS5N100FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3619K  1
 ms5n100 ms5n100s ms5n100ft ms5n100fe ms5n100fd.pdf pdf_icon

MS5N100FD

MS5N100/S/FT/FE/FDN-channel 1000V 3.5 - 5AGeneral featuresType V R IDSS(@Tjmax) DS(on) DMS5N100 1000 V

Другие MOSFET... MDD2601 , NCE1579C , SMP730 , HCA60R040 , MS5N100 , MS5N100S , MS5N100FT , MS5N100FE , STF13NM60N , SJMN600R70F , HCA60R290 , HCA65R165 , HCA70R180 , HCA90R300 , HCA90R450 , HCA90R800 , HCD60R260 .

History: NP80N03DDE | IRLB8743 | IRL60HS118

 

 
Back to Top

 


 
.