HCD90R1K6 Todos los transistores

 

HCD90R1K6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCD90R1K6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HCD90R1K6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:594K  semihow
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HCD90R1K6

Apr. 2023HCD90R1K6900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 3.8 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 9.1 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Switc

 6.1. Size:595K  semihow
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HCD90R1K6

Apr. 2023HCD90R1K0900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 5.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.0 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 13.7 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Swit

 8.1. Size:596K  semihow
 hcd90r450.pdf pdf_icon

HCD90R1K6

Apr 2023HCD90R450900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 10.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 29 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Switc

 8.2. Size:595K  semihow
 hcd90r800.pdf pdf_icon

HCD90R1K6

Apr. 2023HCD90R800900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 6.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.8 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 17.4 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Swit

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History: RMW280N03

 

 
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