STM8020 Todos los transistores

 

STM8020 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STM8020
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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STM8020 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  samhop
 stm8020.pdf pdf_icon

STM8020

STM8020SamHop Microelectronics Corp.Mar. 30 2007N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.9 @ VGS = 10VS urface Mount Package.35V 12A13 @ VGS = 4.5VESD Protected.SO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted)Limit Unit

 9.1. Size:210K  globaltech semi
 gstm8050lt1.pdf pdf_icon

STM8020

GSTM8050LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 25V amplifier and switch. Collector Current : 800mA Lead(Pb)-FreePackages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTM8050LT1F SOT-23 P 80P

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STB9NK60ZDT4 | 2SJ243 | FDB8453LZ | FDZ197PZ | AP1332GEV-HF | STB9NK50Z-1 | STB9NK60Z-1

 

 
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