STM8020 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STM8020
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 35 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de la puerta (Qg): 11 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 255 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STM8020
STM8020 Datasheet (PDF)
stm8020.pdf
STM8020SamHop Microelectronics Corp.Mar. 30 2007N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.9 @ VGS = 10VS urface Mount Package.35V 12A13 @ VGS = 4.5VESD Protected.SO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted)Limit Unit
gstm8050lt1.pdf
GSTM8050LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 25V amplifier and switch. Collector Current : 800mA Lead(Pb)-FreePackages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTM8050LT1F SOT-23 P 80P
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
