STM8020 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STM8020
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 35 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
Выходная емкость (Cd): 255 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: SOP8
STM8020 Datasheet (PDF)
stm8020.pdf
STM8020SamHop Microelectronics Corp.Mar. 30 2007N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.9 @ VGS = 10VS urface Mount Package.35V 12A13 @ VGS = 4.5VESD Protected.SO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted)Limit Unit
gstm8050lt1.pdf
GSTM8050LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 25V amplifier and switch. Collector Current : 800mA Lead(Pb)-FreePackages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTM8050LT1F SOT-23 P 80P
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
