STM8020 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STM8020
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для STM8020
STM8020 Datasheet (PDF)
stm8020.pdf

STM8020SamHop Microelectronics Corp.Mar. 30 2007N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.9 @ VGS = 10VS urface Mount Package.35V 12A13 @ VGS = 4.5VESD Protected.SO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted)Limit Unit
gstm8050lt1.pdf

GSTM8050LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 25V amplifier and switch. Collector Current : 800mA Lead(Pb)-FreePackages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTM8050LT1F SOT-23 P 80P
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: FDB8453LZ | STB9NK60ZDT4 | AP1332GEV-HF | FDZ197PZ | STB9NK50Z-1 | STB9NK60Z-1
History: FDB8453LZ | STB9NK60ZDT4 | AP1332GEV-HF | FDZ197PZ | STB9NK50Z-1 | STB9NK60Z-1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPL1050PU | JMPL1050PK | JMPL1050PG | JMPL1050AY | JMPL1050AUQ | JMPL1050AU | JMPL1050APD | JMPL1050AP | JMPL1050AKQ | JMPL1050AK | JMPL1050AGQ | JMPL1050AG | JMPL1050AE | JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ
Popular searches
oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933