HCP65R110 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCP65R110 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 205 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Encapsulados: TO220
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HCP65R110 datasheet
hcp65r110.pdf
Dec 2019 HCP65R110 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 29.1 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 110 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 75 nC Application Package & Internal Circuit TO-220 SYMBOL Swit
hcp65r165.pdf
Dec 2019 HCP65R165 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 20.4 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.165 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 50 nC Application Package & Internal Circuit TO-220 SYMBOL Swi
hcp65r130.pdf
Dec 2019 HCP65R130 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 25 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 130 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 65 nC Application Package & Internal Circuit TO-220 SYMBOL Switch
hcp65r210.pdf
Nov 2020 HCP65R210 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 16.8 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.21 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 40 nC Application Package & Internal Circuit TO-220 SYMBOL Swit
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History: SQP50P03-07
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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