Справочник MOSFET. HCP65R110

 

HCP65R110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCP65R110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HCP65R110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  semihow
 hcp65r110.pdf pdf_icon

HCP65R110

Dec 2019HCP65R110650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 29.1 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 110 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 75 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220 SYMBOL Swit

 7.1. Size:358K  semihow
 hcp65r165.pdf pdf_icon

HCP65R110

Dec 2019HCP65R165650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 20.4 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.165 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220 SYMBOL Swi

 7.2. Size:359K  semihow
 hcp65r130.pdf pdf_icon

HCP65R110

Dec 2019HCP65R130650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 25 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 130 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 65 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220 SYMBOL Switch

 8.1. Size:631K  semihow
 hcp65r210.pdf pdf_icon

HCP65R110

Nov 2020HCP65R210650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 16.8 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.21 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 40 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220 SYMBOL Swit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 12N80G-TC3-T | AP73T02GJ-HF | IRLB4132PBF | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.