HCP90R800 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCP90R800  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO220

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HCP90R800 datasheet

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HCP90R800

Jun. 2023 HCP90R800 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 6.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.8 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 17.4 nC Application Package & Internal Circuit TO-220 SYMBOL Swi

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HCP90R800

Jun. 2023 HCP90R450 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 10.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 29 nC Application Package & Internal Circuit TO-220 SYMBOL Swi

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HCP90R800

Jun. 2023 HCP90R300 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 14.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.3 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 43 nC Application Package & Internal Circuit TO-220 SYMBOL Swit

Otros transistores... HCP60R099, HCP65R110, HCP65R130, HCP65R165, HCP65R210, HCP65R320, HCP90R300, HCP90R450, IRFB4110, HCS60R099, HCS60R099ST, HCS60R150ST, HCS60R260S, HCS60R260ST, HCS60R900S, HCS65R165ST, HCS65R210ST