HCS60R099ST Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCS60R099ST  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm

Encapsulados: TO220FT

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HCS60R099ST datasheet

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HCS60R099ST

Dec 2019 HCS60R099ST 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 30.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 99 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 75 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FT SYMBOL S

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HCS60R099ST

Dec 2019 HCS60R099 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 30.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 99 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 75 nC Application Package & Internal Circuit TO-220F SYMBOL Swit

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HCS60R099ST

Sep 2020 HCS60R260S 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 14.4 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.26 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 31 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FS SYMBOL S

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