HCS60R260ST Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCS60R260ST  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 31 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm

Encapsulados: TO220FT

 Búsqueda de reemplazo de HCS60R260ST MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HCS60R260ST datasheet

 ..1. Size:402K  semihow
 hcs60r260st.pdf pdf_icon

HCS60R260ST

Sep 2020 HCS60R260ST 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 14.4 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.26 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 31 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FT SYMBOL

 4.1. Size:401K  semihow
 hcs60r260s.pdf pdf_icon

HCS60R260ST

Sep 2020 HCS60R260S 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 14.4 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.26 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 31 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FS SYMBOL S

 8.1. Size:421K  semihow
 hcs60r150st.pdf pdf_icon

HCS60R260ST

 8.2. Size:364K  semihow
 hcs60r099.pdf pdf_icon

HCS60R260ST

Dec 2019 HCS60R099 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 30.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 99 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 75 nC Application Package & Internal Circuit TO-220F SYMBOL Swit

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... HCP65R320, HCP90R300, HCP90R450, HCP90R800, HCS60R099, HCS60R099ST, HCS60R150ST, HCS60R260S, IRF3710, HCS60R900S, HCS65R165ST, HCS65R210ST, HCS65R450S, HCS65R450ST, HCS65R830ST, HCS70R180S, HCS70R230S