HCT70R910 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCT70R910  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.94 Ohm

Encapsulados: SOT223

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HCT70R910 datasheet

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HCT70R910

March 2020 HCT70R910 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 5.2 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.94 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 11.2 nC Application Package & Internal Circuit Switch Mode Powe

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HCT70R910

August 2020 HCT70R1K1 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 4.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.1 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 9.3 nC Application Package & Internal Circuit Switch Mode Power

 9.1. Size:184K  optek
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HCT70R910

Product Bulletin HCT7000M January 1996 N-Channel Enhancement Mode MOS Transistor Type HCT7000M, HCT7000MTX, HCT7000MTXV Features Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V 200mA I D Gate-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Otros transistores... HCS80R1K4S, HCS80R1K4ST, HCS90R1K0S, HCS90R1K6S, HCS90R300S, HCS90R450S, HCS90R800S, HCT70R1K1, SPP20N60C3, HCT80R850, HCT90R1K4, HCU60R260, HCU60R580, HCU65R1K0, HCU65R450, HCU70R360, HCU70R600