HCW65R320 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCW65R320  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 106 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm

Encapsulados: TO263

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HCW65R320 datasheet

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HCW65R320

Nov 2020 HCW65R320 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 12.3 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.32 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit TO-263 SYMBOL Swit

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HCW65R320

Nov 2020 HCW65R210 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 16.8 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.21 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 40 nC Application Package & Internal Circuit TO-263 SYMBOL Swit

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