HCW65R320 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCW65R320
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 106 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 27 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 28 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.32 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HCW65R320
HCW65R320 Datasheet (PDF)
hcw65r320.pdf
Nov 2020HCW65R320650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 12.3 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.32 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-263 SYMBOL Swit
hcw65r210.pdf
Nov 2020HCW65R210650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 16.8 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.21 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 40 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-263 SYMBOL Swit
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