HCW65R320 Todos los transistores

 

HCW65R320 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCW65R320
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 106 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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HCW65R320 Datasheet (PDF)

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HCW65R320

Nov 2020HCW65R320650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 12.3 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.32 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-263 SYMBOL Swit

 8.1. Size:646K  semihow
 hcw65r210.pdf pdf_icon

HCW65R320

Nov 2020HCW65R210650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 16.8 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.21 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 40 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-263 SYMBOL Swit

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History: HFD5N60F | 2SK1235 | SI4946BEY-T1 | IRHNA57260 | CS6N70A8D | MSU7N60T

 

 
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