HFC2N60U Todos los transistores

 

HFC2N60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFC2N60U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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HFC2N60U Datasheet (PDF)

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HFC2N60U

November 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ = HFC2N60U ID = 2 A600V N-Channel MOSFETTO-126FEATURES Originative New Design1 Superior Avalanche Rugged Technology23 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 5.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

Otros transistores... HCW60R150 , HCW60R190 , HCW60R290 , HCW65R210 , HCW65R320 , HFA20N50U , HFA24N50G , HFB1N60F , STP80NF70 , HFD1N60F , HFD1N60SA , HFD2N60F , HFD5N60F , HFD5N65SA , HFH9N90A , HFI50N06A , HFI5N50S .

History: SIHW73N60E | NTD4960N

 

 
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