HFC2N60U Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFC2N60U  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO126

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HFC2N60U datasheet

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HFC2N60U

November 2014 BVDSS = 600 V RDS(on) typ = HFC2N60U ID = 2 A 600V N-Channel MOSFET TO-126 FEATURES Originative New Design 1 Superior Avalanche Rugged Technology 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 5.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

Otros transistores... HCW60R150, HCW60R190, HCW60R290, HCW65R210, HCW65R320, HFA20N50U, HFA24N50G, HFB1N60F, 10N65, HFD1N60F, HFD1N60SA, HFD2N60F, HFD5N60F, HFD5N65SA, HFH9N90A, HFI50N06A, HFI5N50S