HFD5N65SA Todos los transistores

 

HFD5N65SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFD5N65SA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 91 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252A
 

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HFD5N65SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1121K  semihow
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HFD5N65SA

May. 2022HFU5N65SA / HFD5N65SA650V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Superior Avalanche Rugged TechnologyBVDSS 650 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic CapacitancesID 4.2 A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 2.3 100% Avalanche TestedQg, Typ 14.2 nC RoHS CompliantHFU5N65SA HFD5N65SASymbolTO

 6.1. Size:204K  semihow
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HFD5N65SA

Mar 2010BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 2.3 HFD5N65S / HFU5N65SID = 4.0 A650V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK22FEATURES113 23 Originative New DesignHFD5N65S HFU5N65S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ

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HFD5N65SA

Jan 2014BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 2.3 HFD5N65U / HFU5N65U ID = 3.6 A650V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD5N65U HFU5N65U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC

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HFD5N65SA

Sep 2009BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 2.0 HFD5N60S / HFU5N60SID = 4.3 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK22FEATURES113 23 Originative New DesignHFD5N60S HFU5N60S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ

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History: OSG65R580AF | FDP13AN06A0 | FDP15N65 | FDP14AN06LA0 | HFI5N50S | 2SK985 | STS1HNK60

 

 
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