HFI50N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HFI50N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFI50N06A

HFI50N06A Datasheet (PDF)

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6.1. Size:237K semihow
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Nov 2009BVDSS = 60 VRDS(on) = 18 mHFW50N06 / HFI50N06ID = 50 A60V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New DesignHFW50N06 HFI50N06 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Operati

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History: NCE0104S

Liste

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