HFS12N65SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HFS12N65SA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.78 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFS12N65SA

HFS12N65SA Datasheet (PDF)

..1. Size:806K semihow
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July 2021BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 0.67 HFS12N65SAID = 12 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 41 nC (Typ.) Extended Safe Ope

5.1. Size:240K semihow
hfs12n65s.pdf

Aug 2009BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 0.67 HFS12N65SID = 12 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ ) E

6.1. Size:598K semihow
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Mar. 2023HFS12N65JS650V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Superior Avalanche Rugged TechnologyBVDSS 650 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic CapacitancesID 12 A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 0.7 100% Avalanche TestedQg, Typ 44.4 nC RoHS CompliantTO-220FS SymbolSDGAbsolute Maximum

6.2. Size:158K semihow
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July 2014BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 0.67 HFS12N65UID = 12 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 42 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

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