HFS4N60FS Todos los transistores

 

HFS4N60FS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFS4N60FS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FS
 

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HFS4N60FS Datasheet (PDF)

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HFS4N60FS

Oct 2016HFS4N60FS600V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 600 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 4A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 2.6 100% Avalanche TestedQg, Typ 8.5 nC Single Gauge PackageTO-220FS SymbolSDGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter

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HFS4N60FS

Oct 2016HFP4N60F / HFS4N60F600V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 600 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 4A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 2.6 100% Avalanche TestedQg, Typ 8.5 nC RoHS CompliantHFP4N60F HFS4N60FSymbolTO-220 TO-220FSSDDGGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unles

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HFS4N60FS

July 2005BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFS4N60ID = 4.0 A600V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 15 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

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HFS4N60FS

July 2005BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFS4N50ID = 3.4 A500V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

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