HFS5N65JS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HFS5N65JS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FS

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFS5N65JS

HFS5N65JS Datasheet (PDF)

..1. Size:598K semihow
hfs5n65js.pdf

Mar. 2023HFS5N65JS650V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Superior Avalanche Rugged TechnologyBVDSS 650 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic CapacitancesID 4.0 A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 2.26 100% Avalanche TestedQg, Typ 12.7 nC RoHS CompliantTO-220FS SymbolSDGAbsolute Maximum

7.1. Size:792K semihow
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Dec. 2021BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 2.3 HFS5N65SAID = 4.2 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 14.2 nC (Typ.) Extended Safe Op

7.2. Size:315K semihow
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March 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFS5N65U ID = 4.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

7.3. Size:202K semihow
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Oct 2009BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 2.3 HFS5N65SID = 4.2 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 10 5 nC (Typ )

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History: APT4080BN

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