HFS8N65SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HFS8N65SA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFS8N65SA

HFS8N65SA Datasheet (PDF)

..1. Size:736K semihow
hfs8n65sa.pdf

August 2022BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 1.16 HFS8N65SAID = 7.2 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 21 nC (Typ.) Extended Safe O

6.1. Size:249K semihow
hfs8n65s.pdf

Sep 2009BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 1.16 HFS8N65SID = 7.2 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ ) E

7.1. Size:307K semihow
hfs8n65u.pdf

March 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFS8N65U ID = 7.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

7.2. Size:596K semihow
hfs8n65js.pdf

Mar. 2023HFS8N65JS650V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Superior Avalanche Rugged TechnologyBVDSS 650 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic CapacitancesID 7.2 A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 1.04 100% Avalanche TestedQg, Typ 25.3 nC RoHS CompliantTO-220FS SymbolSDGAbsolute Maximum

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Liste

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