HFS8N65SA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFS8N65SA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для HFS8N65SA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS8N65SA даташит

 ..1. Size:736K  semihow
 hfs8n65sa.pdf pdf_icon

HFS8N65SA

August 2022 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 1.16 HFS8N65SA ID = 7.2 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 21 nC (Typ.) Extended Safe O

 6.1. Size:249K  semihow
 hfs8n65s.pdf pdf_icon

HFS8N65SA

Sep 2009 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 1.16 HFS8N65S ID = 7.2 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 22 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge 22 nC (Typ ) E

 7.1. Size:307K  semihow
 hfs8n65u.pdf pdf_icon

HFS8N65SA

March 2013 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFS8N65U ID = 7.5 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 22.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 7.2. Size:596K  semihow
 hfs8n65js.pdf pdf_icon

HFS8N65SA

Mar. 2023 HFS8N65JS 650V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Superior Avalanche Rugged Technology BVDSS 650 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances ID 7.2 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 1.04 100% Avalanche Tested Qg, Typ 25.3 nC RoHS Compliant TO-220FS Symbol S D G Absolute Maximum

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HFS5N65JS, HFS5N65SA, HFS730F, HFS730S, HFS7N80A, HFS830F, HFS8N60UA, HFS8N65JS, IRF730, HFS9N90A, HFT1N60F, HFU1N60F, HFU1N60S, HFU1N60SA, HFU2N60F, HFU2N60S, HFU2N60U