HRD72N06K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HRD72N06K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de HRD72N06K MOSFET
HRD72N06K Datasheet (PDF)
hrd72n06k hru72n06k.pdf

Sep 2015BVDSS = 60 VRDS(on) typ HRD72N06K / HRU72N06K ID = 100 A60V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD72N06K HRU72N06K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 75nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 5.8
Otros transistores... HFU5N65SA , HFW50N06A , HFW840 , HRA40N08K , HRA45N08K , HRD120N10K , HRD180N10K , HRD50N06K , IRFB4115 , HRD80N06K , HRD85N08K , HRF120N10K , HRF130N06K , HRF140N06K , HRF85N08K , HRLD125N06K , HRLD150N10K .
History: FMV10N80E | LSGE10R080W3 | SPP80N05L | HUF75831SK8T | TD422BL | FDM100-0045SP
History: FMV10N80E | LSGE10R080W3 | SPP80N05L | HUF75831SK8T | TD422BL | FDM100-0045SP



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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