HRLD250N10K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRLD250N10K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de HRLD250N10K MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HRLD250N10K datasheet

 ..1. Size:724K  semihow
 hrld250n10k.pdf pdf_icon

HRLD250N10K

Dec 2016 HRLD250N10K 100V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Dense Cell Design BVDSS 100 V Reliable and Rugged ID 38 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 20 m RDS(on), typ @4.5V 22 m Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System D-PAK Synchronous Rectific

Otros transistores... HRD85N08K, HRF120N10K, HRF130N06K, HRF140N06K, HRF85N08K, HRLD125N06K, HRLD150N10K, HRLD1B8N10K, IRF9540N, HRLD33N03K, HRLD370N10K, HRLD40N04K, HRLD55N03K, HRLD72N06, HRLD80N06K, HRLE320N03K, HRLF110N03K