HRLD250N10K - аналоги и даташиты транзистора

 

HRLD250N10K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HRLD250N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для HRLD250N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLD250N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  semihow
 hrld250n10k.pdf pdf_icon

HRLD250N10K

Dec 2016 HRLD250N10K 100V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Dense Cell Design BVDSS 100 V Reliable and Rugged ID 38 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 20 m RDS(on), typ @4.5V 22 m Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System D-PAK Synchronous Rectific

Другие MOSFET... HRD85N08K , HRF120N10K , HRF130N06K , HRF140N06K , HRF85N08K , HRLD125N06K , HRLD150N10K , HRLD1B8N10K , K4145 , HRLD33N03K , HRLD370N10K , HRLD40N04K , HRLD55N03K , HRLD72N06 , HRLD80N06K , HRLE320N03K , HRLF110N03K .

History: SPD30N03S2L-10 | SI7104DN | APT12080LVFRG

 

 
Back to Top

 


 
.