HRLD33N03K Todos los transistores

 

HRLD33N03K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRLD33N03K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de HRLD33N03K MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HRLD33N03K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:796K  semihow
 hrld33n03k.pdf pdf_icon

HRLD33N03K

August 2018 HRLD33N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID (Silicon Limited) 150 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 2.7 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 3.2 m Application Package & Internal Circuit

 9.1. Size:1029K  semihow
 hrld370n10k hrlu370n10k.pdf pdf_icon

HRLD33N03K

Oct 2016 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = 30 m HRLD370N10K / HRLU370N10K ID = 25 A 100V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRLD370N10K HRLU370N10K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 53 nC (Typ.) Extended S

Otros transistores... HRF120N10K , HRF130N06K , HRF140N06K , HRF85N08K , HRLD125N06K , HRLD150N10K , HRLD1B8N10K , HRLD250N10K , IRF4905 , HRLD370N10K , HRLD40N04K , HRLD55N03K , HRLD72N06 , HRLD80N06K , HRLE320N03K , HRLF110N03K , HRLF125N06K .

History: SWHA80N08V1 | HRP85N08K | STP6NM60N | IPP039N04LG | CS4N60ARRD | STB11N52K3 | STP24N60M2

 

 
Back to Top

 


 
.