HRLD370N10K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HRLD370N10K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 53 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.037 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HRLD370N10K
HRLD370N10K Datasheet (PDF)
hrld370n10k hrlu370n10k.pdf
Oct 2016 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = 30 m HRLD370N10K / HRLU370N10K ID = 25 A 100V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRLD370N10K HRLU370N10K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 53 nC (Typ.) Extended S
hrld33n03k.pdf
August 2018 HRLD33N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID (Silicon Limited) 150 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 2.7 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 3.2 m Application Package & Internal Circuit
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