HRLD370N10K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLD370N10K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для HRLD370N10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLD370N10K даташит

 ..1. Size:1029K  semihow
 hrld370n10k hrlu370n10k.pdf pdf_icon

HRLD370N10K

Oct 2016 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = 30 m HRLD370N10K / HRLU370N10K ID = 25 A 100V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRLD370N10K HRLU370N10K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 53 nC (Typ.) Extended S

 9.1. Size:796K  semihow
 hrld33n03k.pdf pdf_icon

HRLD370N10K

August 2018 HRLD33N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID (Silicon Limited) 150 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 2.7 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 3.2 m Application Package & Internal Circuit

Другие IGBT... HRF130N06K, HRF140N06K, HRF85N08K, HRLD125N06K, HRLD150N10K, HRLD1B8N10K, HRLD250N10K, HRLD33N03K, IRLB4132, HRLD40N04K, HRLD55N03K, HRLD72N06, HRLD80N06K, HRLE320N03K, HRLF110N03K, HRLF125N06K, HRLF150N10K