HRLD55N03K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HRLD55N03K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de HRLD55N03K MOSFET
HRLD55N03K Datasheet (PDF)
hrld55n03k hrlu55n03k.pdf

Sep 2015BVDSS = 30 VRDS(on) typ HRLD55N03K / HRLU55N03K ID = 100 A30V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRLD55N03K HRLU55N03K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 50nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) :
Otros transistores... HRF85N08K , HRLD125N06K , HRLD150N10K , HRLD1B8N10K , HRLD250N10K , HRLD33N03K , HRLD370N10K , HRLD40N04K , 12N60 , HRLD72N06 , HRLD80N06K , HRLE320N03K , HRLF110N03K , HRLF125N06K , HRLF150N10K , HRLF180N10K , HRLF190N03K .
History: IPT60R050G7 | NP90N03VHG | SI7888DP
History: IPT60R050G7 | NP90N03VHG | SI7888DP



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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