HRLD55N03K Todos los transistores

 

HRLD55N03K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRLD55N03K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de HRLD55N03K MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HRLD55N03K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  semihow
 hrld55n03k hrlu55n03k.pdf pdf_icon

HRLD55N03K

Sep 2015BVDSS = 30 VRDS(on) typ HRLD55N03K / HRLU55N03K ID = 100 A30V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRLD55N03K HRLU55N03K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 50nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) :

Otros transistores... HRF85N08K , HRLD125N06K , HRLD150N10K , HRLD1B8N10K , HRLD250N10K , HRLD33N03K , HRLD370N10K , HRLD40N04K , SPP20N60C3 , HRLD72N06 , HRLD80N06K , HRLE320N03K , HRLF110N03K , HRLF125N06K , HRLF150N10K , HRLF180N10K , HRLF190N03K .

History: SQM40N10-30 | STC6602

 

 
Back to Top

 


 
.