Справочник MOSFET. HRLD55N03K

 

HRLD55N03K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRLD55N03K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLD55N03K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  semihow
 hrld55n03k hrlu55n03k.pdf pdf_icon

HRLD55N03K

Sep 2015BVDSS = 30 VRDS(on) typ HRLD55N03K / HRLU55N03K ID = 100 A30V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRLD55N03K HRLU55N03K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 50nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) :

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTMFS6H836NL | SSF1109 | FDBL0200N100 | SML20L100F | RU30E30L | SL3406 | AP65PN1R4P

 

 
Back to Top

 


 
.