HRLD55N03K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLD55N03K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для HRLD55N03K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLD55N03K даташит

 ..1. Size:247K  semihow
 hrld55n03k hrlu55n03k.pdf pdf_icon

HRLD55N03K

Sep 2015 BVDSS = 30 V RDS(on) typ HRLD55N03K / HRLU55N03K ID = 100 A 30V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRLD55N03K HRLU55N03K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 50nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

Другие IGBT... HRF85N08K, HRLD125N06K, HRLD150N10K, HRLD1B8N10K, HRLD250N10K, HRLD33N03K, HRLD370N10K, HRLD40N04K, K3569, HRLD72N06, HRLD80N06K, HRLE320N03K, HRLF110N03K, HRLF125N06K, HRLF150N10K, HRLF180N10K, HRLF190N03K