HRLO125N06K Todos los transistores

 

HRLO125N06K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRLO125N06K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tiempo de subida (tr): 50 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0156 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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HRLO125N06K Datasheet (PDF)

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Jan 2016HRLO125N06K60V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit High Dense Cell DesignBVDSS 60 V Reliable and RuggedID 10 A Advanced Trench Process TechnologyRDS(on), typ @10V 12.5 RDS(on), typ @4.5V 14.0 ApplicationPackage & Internal Circuit Power Management in Inverter SystemSOP-8 Synchronous RectificationAbsolute Maximum Ratings

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June 2017 HRLO110N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID 13.8 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 9.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 13.0 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal

 9.2. Size:235K  semihow
hrlo180n10k.pdf

HRLO125N06K HRLO125N06K

Jan 2016HRLO180N10K100V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit High Dense Cell DesignBVDSS 100 V Reliable and RuggedID 9.3 A Advanced Trench Process TechnologyRDS(on), typ @10V 16 RDS(on), typ @4.5V 17 ApplicationPackage & Internal Circuit Power Management in Inverter SystemSOP-8 Synchronous RectificationAbsolute Maximum Ratings

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