HRLO180N10K Todos los transistores

 

HRLO180N10K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRLO180N10K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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HRLO180N10K Datasheet (PDF)

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HRLO180N10K

Jan 2016HRLO180N10K100V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit High Dense Cell DesignBVDSS 100 V Reliable and RuggedID 9.3 A Advanced Trench Process TechnologyRDS(on), typ @10V 16 RDS(on), typ @4.5V 17 ApplicationPackage & Internal Circuit Power Management in Inverter SystemSOP-8 Synchronous RectificationAbsolute Maximum Ratings

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HRLO180N10K

June 2017 HRLO110N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID 13.8 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 9.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 13.0 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal

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HRLO180N10K

Jan 2016HRLO125N06K60V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit High Dense Cell DesignBVDSS 60 V Reliable and RuggedID 10 A Advanced Trench Process TechnologyRDS(on), typ @10V 12.5 RDS(on), typ @4.5V 14.0 ApplicationPackage & Internal Circuit Power Management in Inverter SystemSOP-8 Synchronous RectificationAbsolute Maximum Ratings

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History: FDMS86540 | WNM2046B | WMN10N65C4

 

 
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