HRLO180N10K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRLO180N10K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOP8

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HRLO180N10K datasheet

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HRLO180N10K

Jan 2016 HRLO180N10K 100V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Dense Cell Design BVDSS 100 V Reliable and Rugged ID 9.3 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 16 RDS(on), typ @4.5V 17 Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System SOP-8 Synchronous Rectification Absolute Maximum Ratings

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HRLO180N10K

June 2017 HRLO110N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID 13.8 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 9.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 13.0 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal

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HRLO180N10K

Jan 2016 HRLO125N06K 60V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Dense Cell Design BVDSS 60 V Reliable and Rugged ID 10 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 12.5 RDS(on), typ @4.5V 14.0 Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System SOP-8 Synchronous Rectification Absolute Maximum Ratings

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