HRLO180N10K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HRLO180N10K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 94 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HRLO180N10K
HRLO180N10K Datasheet (PDF)
hrlo180n10k.pdf
Jan 2016HRLO180N10K100V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit High Dense Cell DesignBVDSS 100 V Reliable and RuggedID 9.3 A Advanced Trench Process TechnologyRDS(on), typ @10V 16 RDS(on), typ @4.5V 17 ApplicationPackage & Internal Circuit Power Management in Inverter SystemSOP-8 Synchronous RectificationAbsolute Maximum Ratings
hrlo110n03k.pdf
June 2017 HRLO110N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID 13.8 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 9.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 13.0 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal
hrlo125n06k.pdf
Jan 2016HRLO125N06K60V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit High Dense Cell DesignBVDSS 60 V Reliable and RuggedID 10 A Advanced Trench Process TechnologyRDS(on), typ @10V 12.5 RDS(on), typ @4.5V 14.0 ApplicationPackage & Internal Circuit Power Management in Inverter SystemSOP-8 Synchronous RectificationAbsolute Maximum Ratings
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